Принцип действия устройства основан на повышении плотности газового разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.

Назначение: эффективное распыление мишеней из проводящих материалов ионной бомбардировкой в плазме аномального тлеющего разряда.

В режиме постоянного тока возможно нанесение металлов, сплавов (в том числе резистивных) с сохранением стехиометрического состава.

При использовании импульсного среднечастотного питания возможно напыление полупроводников, а также диэлектриков в реактивном режиме из металлических мишеней.

Конструкция позволяет производить различные комбинации размещения магнетрона в камере.